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首页 全部分类 MUN2211JT1 vs RN1401,LF

MUN2211JT1备选型号: RN1401,LF

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  • 底架
  • 安装类型
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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MUN2211JT1
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    50V
    230mW
    100mA
    MUN2211
    3
    NPN - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    35 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    10 k Ω
    10 k Ω
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1401,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    200mW
    -
    RN140*
    -
    NPN - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    30 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    4.7 k Ω
    4.7 k Ω
    符合RoHS标准
    -
    12 Weeks
    3
    150°C
    -55°C
    Single
    50V
    250MHz
    无
  • 添加型号
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