NCP5106BDR2G备选型号: NCP5111DR2G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出电压
- 最大输出电流
- 电源
- 电源电流
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 驱动器数量
- 接通时间
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 关断时间
- 内置保护器
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 输出电流流向
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- NCP5106BDR2G; Dual MOSFET Power Driver; 0.5A Half Bridge; 10 to 20V; ; 8-Pin SOICACTIVE (Last Updated: 6 days ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~125°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)8SMD/SMTEAR99Tin (Sn)10V~20VDUAL鸥翼115VNCP51068700mV500mA15V5mA5mA170 nsNon-Inverting170 ns无卤素160ns75 ns85ns 35nsIndependent20.17 µsIGBT, N-Channel MOSFET250mA 500mA0.17 µsUNDER VOLTAGE600V水槽1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--
- Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8170 ns-40°C~125°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)8SMD/SMTEAR99Tin (Sn)10V~20VDUAL鸥翼115VNCP5111820V500mA15V5mA5mA-Non-Inverting1.17 μs无卤素160ns75 ns85ns 35nsSynchronous2-IGBT, N-Channel MOSFET250mA 500mA0.17 μsUNDER VOLTAGE600V水槽1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅26040
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NCP5106ADR2G | ON Semiconductor | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC | 对比 | |
| NCP5111DR2G | ON Semiconductor | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |


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