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首页 全部分类 NDBA100N10BT4H vs IPB049N08N5ATMA1

NDBA100N10BT4H备选型号: IPB049N08N5ATMA1

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NDBA100N10BT4H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    100A Ta
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    40 ns
    N-Channel
    6.9m Ω @ 50A, 15V
    4V @ 1mA
    2950pF @ 50V
    35nC @ 10V
    385ns
    100V
    ±20V
    52 ns
    100A
    20V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB049N08N5ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    17 ns
    N-Channel
    4.9m Ω @ 80A, 10V
    3.8V @ 66μA
    3770pF @ 40V
    53nC @ 10V
    7ns
    -
    ±20V
    7 ns
    80A
    20V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    3.949996g
    SILICON
    OptiMOS™
    2
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    80V
    0.0049Ohm
    320A
    84 mJ
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