NDBA100N10BT4H备选型号: STH110N10F7-2
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- 工厂交货时间
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 系列
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 100A DPAK4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3100A Ta175°C TJTape & Reel (TR)2011e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)40 nsN-Channel6.9m Ω @ 50A, 15V4V @ 1mA2950pF @ 50V35nC @ 10V385ns100V±20V52 ns100A20V符合RoHS标准无铅----------
- MOSFET N CH 100V 110A H2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3110A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)---活跃1 (Unlimited)EAR99-25 nsN-Channel6.5m Ω @ 55A, 10V4.5V @ 250μA5117pF @ 50V72nC @ 10V--±20V-110A20VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)DeepGATE™, STripFET™ VIISTH110Single150W100V4.8mm15.8mm10.4mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R | 对比 |
![]() | STH110N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK | 对比 |




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