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首页 全部分类 NDBA100N10BT4H vs IRFS3307ZPBF

NDBA100N10BT4H备选型号: IRFS3307ZPBF

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  • ECCN 代码
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 无铅
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NDBA100N10BT4H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    100A Ta
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    40 ns
    N-Channel
    6.9m Ω @ 50A, 15V
    4V @ 1mA
    2950pF @ 50V
    35nC @ 10V
    385ns
    100V
    ±20V
    52 ns
    100A
    20V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS3307ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    15 ns
    N-Channel
    5.8m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    4750pF @ 50V
    110nC @ 10V
    64ns
    -
    ±20V
    65 ns
    120A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    SMD/SMT
    5.8MOhm
    75V
    120A
    Single
    230W
    4V
    75V
    75V
    50 ns
    4 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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