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首页 全部分类 NDD60N550U1T4G vs IPD60R385CPATMA1

NDD60N550U1T4G备选型号: IPD60R385CPATMA1

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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    NDD60N550U1T4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    8.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    550m Ω @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    540pF @ 50V
    18nC @ 10V
    600V
    ±25V
    8.2A
    8.5A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R385CPATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
    -
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    385mOhm @ 5.2A, 10V
    3.5V @ 340μA
    790pF @ 100V
    22nC @ 10V
    600V
    ±20V
    9A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    PG-TO252-3
    3.949996g
    CoolMOS™ CP
    150°C
    -55°C
    600V
    9A
    1
    83W
    10 ns
    5ns
    5 ns
    20V
    600V
    600V
    790pF
    350mOhm
    385 mΩ
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