NDPL180N10BG备选型号: FDP027N08B-F102
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 操作模式
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- ON SEMICONDUCTOR NDPL180N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V5 Weeks通孔通孔TO-220-33180A Ta175°C TJTubeyesObsolete1 (Unlimited)Single95 nsN-Channel3m Ω @ 15V, 50A4V @ 1mA6950pF @ 50V95nC @ 10V100V±20V180A4V20V15.7mm10mm4.5mm无SVHC符合RoHS标准无铅---------
- MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-39 Weeks通孔通孔TO-220-3-120A Tc-55°C~175°C TJTubeyes活跃1 (Unlimited)Single47 nsN-Channel2.7m Ω @ 100A, 10V4.5V @ 250μA13530pF @ 40V178nC @ 10V-±20V223A-20V----ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1.8gPowerTrench®增强型MOSFET246W66ns41 ns80V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 | 对比 |
| FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | 对比 | |
![]() | STP120NF10 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |





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