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首页 全部分类 NDPL180N10BG vs STP120NF10

NDPL180N10BG备选型号: STP120NF10

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  • 宽度
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  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NDPL180N10BG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NDPL180N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    180A Ta
    175°C TJ
    Tube
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    95 ns
    N-Channel
    3m Ω @ 15V, 50A
    4V @ 1mA
    6950pF @ 50V
    95nC @ 10V
    100V
    ±20V
    180A
    4V
    20V
    15.7mm
    10mm
    4.5mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP120NF10
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    25 ns
    N-Channel
    10.5m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    5200pF @ 25V
    233nC @ 10V
    -
    ±20V
    110A
    4V
    20V
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    4.535924g
    SILICON
    STripFET™ II
    e3
    3
    EAR99
    10.5mOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    100V
    120A
    STP120
    3
    增强型MOSFET
    312W
    DRAIN
    SWITCHING
    90ns
    68 ns
    TO-220AB
    100V
    440A
    550 mJ
    无
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