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首页 全部分类 NDPL180N10BG vs IPP023N10N5AKSA1

NDPL180N10BG备选型号: IPP023N10N5AKSA1

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  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NDPL180N10BG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NDPL180N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    180A Ta
    175°C TJ
    Tube
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    95 ns
    N-Channel
    3m Ω @ 15V, 50A
    4V @ 1mA
    6950pF @ 50V
    95nC @ 10V
    100V
    ±20V
    180A
    4V
    20V
    15.7mm
    10mm
    4.5mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP023N10N5AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    33 ns
    N-Channel
    2.3m Ω @ 100A, 10V
    3.8V @ 270μA
    15600pF @ 50V
    210nC @ 10V
    -
    ±20V
    120A
    3V
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    6.000006g
    SILICON
    OptiMOS™
    2013
    e3
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    26ns
    29 ns
    TO-220AB
    100V
    100V
    480A
    979 mJ
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