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NDS335N备选型号: DMN2230UQ-7
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SuperSOT-31.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C20V1.7ASingle500mWN-Channel110mOhm @ 1.7A, 4.5V1V @ 250μA240pF @ 10V9nC @ 4.5V29ns20V8V29 ns1.7A8V20V240pF140mOhm110 mΩ符合RoHS标准无铅-
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SOT-232A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)150°C-55°C----N-Channel110mOhm @ 2.5A, 4.5V1V @ 250μA188pF @ 10V2.3nC @ 10V-20V±12V-2A--188pF81mOhm110 mΩROHS3 Compliant-16 Weeks- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | 对比 |
| FDN338P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN338P - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
| FDN327N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 | 对比 |
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