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NDS335N备选型号: FDN342P
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
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- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
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- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
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- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
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MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SuperSOT-31.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C20V1.7ASingle500mWN-Channel110mOhm @ 1.7A, 4.5V1V @ 250μA240pF @ 10V9nC @ 4.5V29ns20V8V29 ns1.7A8V20V240pF140mOhm110 mΩ符合RoHS标准无铅--------------------------- MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999活跃1 (Unlimited)---20V-2ASingle500mWP-Channel80m Ω @ 2A, 4.5V1.5V @ 250μA635pF @ 10V9nC @ 4.5V8ns-±12V8 ns2A12V-20V---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 Weeks30mgSILICONPowerTrench®e3yes3SMD/SMTEAR9980mOhmTin (Sn)DUAL鸥翼增强型MOSFET20 nsSWITCHING1.05V2A20V1.05 V940μm2.92mm1.4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | 对比 |
| FDN338P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN338P - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
| FDN327N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 | 对比 |
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