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NDS351N备选型号: IRLML2803TRPBF
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- 生命周期状态
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 制造商包装标识符
- 系列
- 终端
- 电阻
- 通道数量
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON1.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容30VDUAL鸥翼1.1ASingle增强型MOSFET500mW9 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 1.4A, 10V2V @ 250μA140pF @ 10V3.5nC @ 5V16ns±20V16 ns1.1A20V30V无ROHS3 Compliant含铅---------------
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-SILICON1.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99-HIGH RELIABILITY30VDUAL鸥翼1.2ASingle增强型MOSFET540mW3.9 nsN-ChannelSWITCHING250m Ω @ 910mA, 10V1V @ 250μA85pF @ 25V5nC @ 10V4ns±20V1.7 ns1.2A20V30V无ROHS3 Compliant无铅TinMicro3HEXFET®SMD/SMT250mOhm11V30V150°C1 V30V1.12mm3.0226mm1.397mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN352AP | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN352AP - MOSFET Transistor, P Channel, -1.3 A, -30 V, 0.18 ohm, -10 V, -2 V | 对比 |
| NDS352AP | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3 | 对比 |
| IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | 对比 |
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