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首页 全部分类 NDS8858H vs ZXMN3A06DN8TA

NDS8858H备选型号: ZXMN3A06DN8TA

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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NDS8858H
    ON Semiconductor
    MOSFET CMOSFET Half Bridge
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    6.3A 4.8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1W
    4.8A
    2.5W
    N and P-Channel
    35m Ω @ 4.8A, 10V
    2.8V @ 250μA
    720pF @ 15V
    30nC @ 10V
    20ns
    19 ns
    4.8A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3A06DN8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    4.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    2.1W
    4.8A
    2.1W
    2 N-Channel (Dual)
    35m Ω @ 9A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    796pF @ 25V
    17.5nC @ 10V
    6.4ns
    9.4 ns
    6.2A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    SILICON
    2006
    e3
    yes
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    35mOhm
    Matte Tin (Sn)
    30V
    鸥翼
    260
    40
    8
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    3 ns
    1.8W
    SWITCHING
    1V
    4.9A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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