NDS9948备选型号: FDS9958
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)20 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)-60V2W鸥翼-2.3ADual增强型MOSFET2W6 ns900mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING250m Ω @ 2.3A, 10V3V @ 250μA394pF @ 30V13nC @ 10V9ns60V3 ns2.3A-1.5V20V-60V10A15 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-1.5 V1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)11 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99--900mW鸥翼-Dual增强型MOSFET2W6 ns-2 P-Channel (Dual)SWITCHING105m Ω @ 2.9A, 10V3V @ 250μA1020pF @ 30V23nC @ 10V3ns60V6 ns-2.9A-1.6V20V-60V--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-1.575mm4.9mm3.9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin105MOhm65 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS9945 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO | 对比 | |
| NDS9945 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 对比 |



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