ON Semiconductor FDS9958
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FDS9958
1807-FDS9958
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC N T/R
--最小包装量--
FDS9958详情
ON Semiconductor FDS9958重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
工厂交货时间
11 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.9A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
105MOhm
最大功率耗散
900mW
终端形式
鸥翼
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
105m Ω @ 2.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1020pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
-2.9A
阈值电压
-1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
65 pF
高度
1.575mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS9958拓展信息









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