NDS9953A备选型号: FDFS2P753Z
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 行间距
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 正向电流
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
- MOSFET SO-8 P-CH ENHANCE表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT-30V900mW-2.9A6.3 mmDual2W2 P-Channel (Dual)130m Ω @ 1A, 10V2.8V @ 250μA350pF @ 10V25nC @ 10V21ns30V8 ns2.9A-1.6V20V-30V-30V逻辑电平门-1.6 V4.05mm无SVHC符合RoHS标准无铅----------------------
- MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)83A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017Obsolete1 (Unlimited)--30V--3A-Single1.6mWP-Channel115m Ω @ 3A, 10V3V @ 250μA455pF @ 10V9.3nC @ 10V31ns30V31 ns3A-2.1V25V-30V-Schottky Diode (Isolated)-3.9mm无SVHCROHS3 Compliant无铅CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 2 days ago)27 Weeks230.4mgSILICONPowerTrench®e3yes8EAR99115MOhmTin (Sn)DUAL鸥翼增强型MOSFET7 ns2mA±25V3A6 mJ1.575mm4.9mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9952TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 对比 |
| FDFS2P753Z | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC | 对比 |



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