ON Semiconductor NDS9953A
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NDS9953A
1807-NDS9953A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET SO-8 P-CH ENHANCE
--最小包装量--
NDS9953A详情
ON Semiconductor NDS9953A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
900mW
额定电流
-2.9A
行间距
6.3 mm
元素配置
Dual
功率耗散
2W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
21ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
2.9A
阈值电压
-1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
双电源电压
-30V
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
-1.6 V
宽度
4.05mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NDS9953A拓展信息









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