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首页 全部分类 NDS9953A vs IRF7306TRPBF

NDS9953A备选型号: IRF7306TRPBF

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  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NDS9953A
    ON Semiconductor
    MOSFET SO-8 P-CH ENHANCE
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    -30V
    900mW
    -2.9A
    6.3 mm
    Dual
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    130m Ω @ 1A, 10V
    2.8V @ 250μA
    350pF @ 10V
    25nC @ 10V
    21ns
    30V
    8 ns
    2.9A
    -1.6V
    20V
    -30V
    -30V
    逻辑电平门
    -1.6 V
    4.05mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7306TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -30V
    2W
    -3.6A
    6.3 mm
    Dual
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    1V @ 250μA
    440pF @ 25V
    25nC @ 10V
    17ns
    30V
    18 ns
    -3.6A
    -1V
    20V
    -30V
    -
    逻辑电平门
    -1 V
    4.05mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    100mOhm
    超低电阻
    鸥翼
    IRF7306PBF
    2
    增强型MOSFET
    11 ns
    SWITCHING
    14A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    80 ns
    150°C
    1.75mm
    4.9784mm
    无
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