NDTL01N60ZT1G备选型号: BSP125L6433HTMA1
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-44 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA250mA Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3Obsolete1 (Unlimited)EAR9915OhmTin (Sn)N-Channel15 Ω @ 400mA, 10V4.5V @ 50μA92pF @ 25V4.9nC @ 10V600V±30V250mA符合RoHS标准-----------------
- Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA120mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003-Obsolete1 (Unlimited)---N-Channel45 Ω @ 120mA, 10V2.3V @ 94μA150pF @ 25V6.6nC @ 10V600V±20V120mA符合RoHS标准4SILICONSIPMOS®4逻辑电平兼容DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.8WDRAIN7.7 ns14.4ns110 ns20V600V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSP92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 对比 |



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