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首页 全部分类 NGTB20N60L2TF1G vs STGB20V60DF

NGTB20N60L2TF1G备选型号: STGB20V60DF

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  • 元素配置
  • 输入类型
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  • 最大集电极电流
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  • Td（开/关）@25°C
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 基本部件号
  • 极性/通道类型
  • 最大击穿电压
  • IGBT类型
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NGTB20N60L2TF1G
    ON Semiconductor
    IGBT, N-Channel 600V, 20A, VCE(sat); 1.45V TO-3PF-3L with Low VF Switching Diode
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    26 Weeks
    通孔
    TO-3PFM, SC-93-3
    3
    600V
    1.45V
    175°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    64W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    Single
    Standard
    64W
    无卤素
    600V
    40A
    70 ns
    1.65V @ 15V, 20A
    84nC
    80A
    60ns/193ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGB20V60DF
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    -
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    600V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    167W
    未说明
    -
    未说明
    -
    Single
    Standard
    167W
    -
    600V
    40A
    40 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    116nC
    80A
    38ns/149ns
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    2.240009g
    STGB20
    N-CHANNEL
    600V
    沟渠现场停车
    200μJ (on), 130μJ (off)
    20V
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
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