NGTB20N60L2TF1G
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ON Semiconductor NGTB20N60L2TF1G

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型号

NGTB20N60L2TF1G

utmel 编号

1807-NGTB20N60L2TF1G

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-3PFM, SC-93-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT, N-Channel 600V, 20A, VCE(sat); 1.45V TO-3PF-3L with Low VF Switching Diode

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NGTB20N60L2TF1G
NGTB20N60L2TF1G ON Semiconductor IGBT, N-Channel 600V, 20A, VCE(sat); 1.45V TO-3PF-3L with Low VF Switching Diode

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NGTB20N60L2TF1G详情

ON Semiconductor NGTB20N60L2TF1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-3PFM, SC-93-3

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.45V

  • Test Conditions

    300V, 20A, 30 Ω, 15V

  • 操作温度

    175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    64W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    64W

  • 无卤素

    无卤素

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    40A

  • 反向恢复时间

    70 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.65V @ 15V, 20A

  • 闸门收费

    84nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    80A

  • Td(开/关)@25°C

    60ns/193ns

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NGTB20N60L2TF1G相似的参数规格。

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NGTB20N60L2TF1G拓展信息

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