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首页 全部分类 NGTB30N120L2WG vs IXA37IF1200HJ

NGTB30N120L2WG备选型号: IXA37IF1200HJ

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  • 接通时间
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ON Semiconductor
    NGTB30N120L2WG
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
    26 Weeks
    通孔
    TO-247
    3
    6.500007g
    1.2kV
    1.7V
    Tube
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    534W
    未说明
    未说明
    Single
    1.2kV
    60A
    450 ns
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA37IF1200HJ
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA37IF1200HJ IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 195 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    -
    28 Weeks
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    -
    1.2kV
    2.1V
    Tube
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    锡银铜
    -
    -
    195W
    未说明
    未说明
    Single
    1.2kV
    58A
    350ns
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    通孔
    SILICON
    -40°C~150°C TJ
    3
    3
    不合格
    195W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-247AD
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    350 ns
    PT
    106nC
    3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
    20V
    6.5V
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