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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥68.702878
10
¥64.814039
100
¥61.145317
500
¥57.684261
1000
¥54.419113
ON Semiconductor NGTB30N120L2WG
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- 对比
NGTB30N120L2WG
1807-NGTB30N120L2WG
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247
大陆
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IGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NGTB30N120L2WG详情
ON Semiconductor NGTB30N120L2WG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
26 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
TO-247
引脚数
3
质量
6.500007g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V
包装
Tube
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
534W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
450 ns
高度
21.4mm
长度
16.25mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NGTB30N120L2WG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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