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首页 全部分类 NGTB30N120L2WG vs STGW30NC120HD

NGTB30N120L2WG备选型号: STGW30NC120HD

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB30N120L2WG
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
    26 Weeks
    通孔
    TO-247
    3
    6.500007g
    1.2kV
    1.7V
    Tube
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    534W
    未说明
    未说明
    Single
    1.2kV
    60A
    450 ns
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC120HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    1.2kV
    2.75V
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    220W
    -
    -
    Single
    1.2kV
    60A
    152ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerMESH™
    3
    1.2kV
    30A
    STGW30
    3
    220W
    Standard
    29 ns
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    1200V
    41 ns
    2.75V @ 15V, 20A
    30A
    928 ns
    110nC
    29ns/275ns
    1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
    25V
    5.75V
    无
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