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NGTB40N120SWG备选型号: HGTG27N120BN
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- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
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- RoHS状态
- 无铅
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- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
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- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值（toff)
- 辐射硬化
ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120SWG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)18 Weeks通孔通孔TO-247-331.2kV2V-55°C~175°C TJTube2014e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)535W未说明未说明SingleStandard535W2.4V80A240 ns1200V2.4V @ 15V, 40ATrench313nC200A116ns/286ns3.4mJ (on), 1.1mJ (off)21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC符合RoHS标准无铅----------------
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG27N120BN IGBT Single Transistor, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)44 Weeks通孔通孔TO-247-331.2kV2.45V-55°C~150°C TJTube-e3yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)500W--SingleStandard-1.2kV72A-1200V2.7V @ 15V, 27ANPT270nC216A24ns/195ns2.2mJ (on), 2.3mJ (off)20.82mm15.87mm4.82mm无SVHCROHS3 Compliant无铅6.39gSILICON3LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED8541.29.00.951.2kV72A500WCOLLECTOR24 ns电源控制N-CHANNEL42 ns72A360 ns无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HGTG27N120BN | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG27N120BN IGBT Single Transistor, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
 | FGH40T100SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | 对比 |
 | IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 | 对比 |
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