NGTB40N120SWG备选型号: IHW40N120R3FKSA1
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
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- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 极性/通道类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120SWG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)18 Weeks通孔通孔TO-247-331.2kV2V-55°C~175°C TJTube2014e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)535W未说明未说明SingleStandard535W2.4V80A240 ns1200V2.4V @ 15V, 40ATrench313nC200A116ns/286ns3.4mJ (on), 1.1mJ (off)21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC符合RoHS标准无铅----
- IGBT 1200V 80A 429W TO247-3-14 Weeks通孔通孔TO-247-331.2kV--40°C~175°C TJTube2008e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)429W未说明未说明SingleStandard429W1.2kV80A-1200V1.75V @ 15V, 40ATrench335nC120A-/336ns2.02mJ (off)----符合RoHS标准无铅TrenchStop®N-CHANNEL20V6.4V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HGTG27N120BN | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG27N120BN IGBT Single Transistor, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| FGH40T100SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | 对比 | |
![]() | IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 | 对比 |




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