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首页 全部分类 NGTB50N60L2WG vs STGW50HF60SD

NGTB50N60L2WG备选型号: STGW50HF60SD

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  • 终止次数
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB50N60L2WG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail
    21 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    600V
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    500W
    Single
    Standard
    500W
    600V
    100A
    67 ns
    1.8V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    310nC
    200A
    110ns/270ns
    800μJ (on), 600μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW50HF60SD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW50HF60SD IGBT Single Transistor, 110 A, 600 V, 284 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    -
    -
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    600V
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    -
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    284W
    Single
    Standard
    -
    600V
    110A
    67 ns
    1.45V @ 15V, 30A
    -
    200nC
    130A
    50ns/220ns
    250μJ (on), 4.2mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    1.15V
    3
    STGW50
    284W
    电源控制
    N-CHANNEL
    69 ns
    950 ns
    20V
    5.7V
    无SVHC
    无
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