ON Semiconductor NGTB50N60L2WG

工厂交货时间

21 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Test Conditions

400V, 50A, 10 Ω, 15V

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

500W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

500W

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

67 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 50A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

310nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

110ns/270ns

开关能量

800μJ (on), 600μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅