NJVBUB323ZT4G备选型号: KSB834WYTM
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAKACTIVE (Last Updated: 1 week ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON350V-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)150WSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明3AEC-Q101R-PSSO-G2DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTORCOLLECTOR150WSWITCHINGNPNNPN - Darlington1.7V10A500 @ 5A 4.6V100μA1.7V @ 250mA, 10A2MHz2MHzROHS3 Compliant无铅--------------
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial SilACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON60V150°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)1.5W-鸥翼未说明not_compliant未说明--R-PSSO-G2---AMPLIFIERPNPPNP60V3A100 @ 5mA 5V100μA ICBO1V @ 300mA, 3A9MHz-ROHS3 Compliant无铅1.31247g-500mVEAR99-60V-3A9MHzKSB834不合格Single1.5W9MHz60V-60V-7V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NJVMJD45H11G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 50V 8A DPAK-4 | 对比 |
![]() | FJBE2150DTU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor | 对比 |




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