ON Semiconductor NJVBUB323ZT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

150W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

150W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.7V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 5A 4.6V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.7V @ 250mA, 10A

转换频率

2MHz

频率转换

2MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅