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首页 全部分类 NJVNJD1718T4G vs 2DB1184Q-13

NJVNJD1718T4G备选型号: 2DB1184Q-13

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 频率
  • 功率耗散
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NJVNJD1718T4G
    ON Semiconductor
    Trans GP PNP 50V 3A 3-Pin DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    50V
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.68W
    80MHz
    1.68W
    PNP
    50V
    2A
    70 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    500mV @ 50mA, 1A
    50V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    2DB1184Q-13
    Diodes Incorporated
    Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    50V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    15W
    110MHz
    15W
    PNP
    50V
    3A
    120 @ 500mA 3V
    1μA ICBO
    1V @ 200mA, 2A
    60V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    260.39037mg
    SILICON
    2
    鸥翼
    260
    40
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    SWITCHING
    110MHz
    PNP
    TO-252AA
    110MHz
    50V
    2.4mm
    6.8mm
    6.2mm
    无SVHC
  • 添加型号
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