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1

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10

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100

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500

￥5.926582
1000

￥5.591111

ON Semiconductor NJD1718T4G

Name: NJD1718T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NJD1718T4G
Price: 7.06 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NJD1718T4G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NJD1718T4G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NJD1718 Series 50 V 2 A PNP Surface Mount Power Transistor - TO-252-3

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NJD1718T4G ON Semiconductor NJD1718 Series 50 V 2 A PNP Surface Mount Power Transistor - TO-252-3

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NJD1718T4G详情

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ON Semiconductor NJD1718T4G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

1
hFEMin

70
操作温度

-65°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2006
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

2
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

1.68W
终端形式

鸥翼
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSSO-G2
元素配置

Single
箱体转运

COLLECTOR
功率 - 最大

1.68W
晶体管应用

SWITCHING
无卤素

无卤素
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

500mV
最大集电极电流

2A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 500mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 1A
转换频率

80MHz
最大击穿电压

50V
频率转换

80MHz
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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