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首页 全部分类 NMLU1210TWG vs CPH3356-TL-H

NMLU1210TWG备选型号: CPH3356-TL-H

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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 峰值反向电流
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • ON Semiconductor
    NMLU1210TWG
    ON Semiconductor
    MOSFET Dual N-Channel Full BridgeRectifierUDFN8
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    8-UDFN Exposed Pad
    YES
    8
    SILICON
    2
    -55°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    无铅
    未说明
    未说明
    8
    S-XDSO-N6
    Dual
    单相
    40μA @ 20V
    增强型MOSFET
    1.2W
    450mV @ 2A
    DRAIN
    SWITCHING
    3.2A
    N-CHANNEL
    2.2A
    1mA
    10V
    1.16A
    20V
    17mOhm
    500μm
    4mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    CPH3356-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    鸥翼
    -
    -
    3
    -
    Single
    -
    -
    增强型MOSFET
    1W
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    2.5A
    -
    10V
    -
    -20V
    -
    900μm
    2.9mm
    1.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DUAL
    not_compliant
    5.7 ns
    P-Channel
    137m Ω @ 1A, 4.5V
    无卤素
    250pF @ 10V
    3.3nC @ 4.5V
    11ns
    20V
    ±10V
    20 ns
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CPH3356-TL-H CPH3356-TL-H ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 对比