NSM11156DW6T1G备选型号: 2PD601AR,115

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
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  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • JEDEC-95代码
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • VCEsat-最大值
  • 集电极-基极电容-最大值
  • ON Semiconductor
    TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    65V
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1.0
    8541.21.00.95
    230mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    6
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    230mW
    SWITCHING
    PNP
    1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
    250mV
    100mA
    35 @ 5mA 10V / 220 @ 2mA 5V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
    50V 65V
    10k Ω
    10k Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
    -
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    SILICON
    100mA
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    TIN
    -
    8541.21.00.95
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    3
    不合格
    SINGLE
    250mW
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    -
    -
    210 @ 2mA 10V
    10nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    50V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    150°C TJ
    2PD601A
    R-PDSO-G3
    TO-236AB
    100MHz
    100MHz
    0.25W
    0.5 V
    3.5pF
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