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NSV2SC5658M3T5G备选型号: 2SC6026MFVGR,L3F
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- 元素配置
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-723 T/RACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装SOT-7233SILICON50V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)260mWDUALFLATAEC-Q101SingleAMPLIFIER180MHzNPNNPN400mV150mA120 @ 1mA 6V500nA ICBO400mV @ 5mA, 50mA180MHz5VROHS3 Compliant无铅--------
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VESM Embossed T/R-12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-723--50V150°C TJCut Tape (CT)2014--活跃1 (Unlimited)--150mW-----60MHz-NPN50V150mA200 @ 2mA 6V100nA ICBO250mV @ 10mA, 100mA-60V符合RoHS标准-Silver, Tin150mV50V5V150mA500μm1.2mm800μm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SC5658T2LS | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SOT-723 | TRANS NPN 50V 0.15A VMT3 | 对比 |
| 2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SOT-723 | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VESM Embossed T/R | 对比 |
| DTC043ZMT2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SOT-723 | TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3 | 对比 |
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