NSV2SC5658M3T5G备选型号: DTC043ZMT2L
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- 元素配置
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 极性
- 功率耗散
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
- Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-723 T/RACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装SOT-7233SILICON50V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)260mWDUALFLATAEC-Q101SingleAMPLIFIER180MHzNPNNPN400mV150mA120 @ 1mA 6V500nA ICBO400mV @ 5mA, 50mA180MHz5VROHS3 Compliant无铅------------
- TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3-13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-7233-50V-Tape & Reel (TR)2013--活跃1 (Unlimited)3-150mWDUALFLAT-SingleSWITCHING--NPN - Pre-Biased150mV100mA80 @ 5mA 10V500nA150mV @ 500μA, 5mA250MHz-ROHS3 Compliant无铅EAR99150°C-55°CBUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10NPN150mW50V250MHz4.7 k Ω100mA47 k Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5658T2LS | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-723 | TRANS NPN 50V 0.15A VMT3 | 对比 | |
| 2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-723 | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VESM Embossed T/R | 对比 | |
| DTC043ZMT2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SOT-723 | TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3 | 对比 |


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