ON Semiconductor NSV2SC5658M3T5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

260mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

180MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

180MHz

集电极基极电压(VCBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅