NSV40302PDR2G备选型号: ULN2003ADR2G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出电压
- 极性
- 通道数量
- 晶体管应用
- 无卤素
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOICACTIVE (Last Updated: 2 days ago)26 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)40V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015yes活跃1 (Unlimited)653mW653mWNPN, PNP115mV3A180 @ 1A 2V100nA ICBO115mV @ 200mA, 2A100MHzROHS3 Compliant无铅----------------------
- ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOICACTIVE (Last Updated: 3 days ago)11 Weeks表面贴装表面贴装16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)50V-20°C~85°C TATape & Reel (TR)2006yes活跃1 (Unlimited)--7 NPN Darlington50V500mA1000 @ 350mA 2V50μA1.6V @ 500μA, 350mA-ROHS3 Compliant无铅Tin16SILICON1.6Ve316EAR99逻辑电平兼容DUAL鸥翼UL*2003A1650VNPN3SWITCHING无卤素1.5mm10mm4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ULQ2003ADR2G | ON Semiconductor | PMIC - 配电开关,负载驱动器 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC - More Details | 对比 | |
| ULN2003ADR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC | 对比 | |
![]() | ULN2004AFWG,N,E | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL | 对比 |



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