ON Semiconductor NSV40302PDR2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

653mW

功率 - 最大

653mW

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

115mV

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

115mV @ 200mA, 2A

频率转换

100MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅