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首页 全部分类 NSVEMT1DXV6T5G vs BCM857BV-7

NSVEMT1DXV6T5G备选型号: BCM857BV-7

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  • 晶体管类型
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  • 转换频率
  • 频率转换
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    NSVEMT1DXV6T5G
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
    ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SILICON
    60V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    500mW
    FLAT
    AEC-Q101
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS
    500mW
    AMPLIFIER
    PNP
    2 PNP (Dual)
    500mV
    100mA
    120 @ 1mA 6V
    500pA ICBO
    500mV @ 5mA, 50mA
    140MHz
    140MHz
    0.5 V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BCM857BV-7
    Diodes Incorporated
    TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563
    -
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    45V
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    357mW
    -
    -
    -
    -
    357mW
    -
    -
    2 PNP (Dual)
    400mV
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    400mV @ 5mA, 100mA
    -
    175MHz
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SOT-563
    45V
    45V
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