ON Semiconductor NSVEMT1DXV6T5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

500pA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

转换频率

140MHz

频率转换

140MHz

VCEsat-最大值

0.5 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅