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首页 全部分类 NTA4151PT1 vs PMR290XN,115

NTA4151PT1备选型号: PMR290XN,115

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 系列
  • HTS代码
  • 配置
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NTA4151PT1
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    SILICON
    760mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    235
    not_compliant
    -760mA
    未说明
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    301mW
    P-Channel
    SWITCHING
    360m Ω @ 350mA, 4.5V
    450mV @ 250μA
    156pF @ 5V
    2.1nC @ 4.5V
    8.2ns
    20V
    ±6V
    8.2 ns
    760mA
    6V
    0.76A
    0.36Ohm
    -20V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMR290XN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416
    -
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    -
    40
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 200mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    34pF @ 20V
    0.72nC @ 4.5V
    -
    20V
    ±12V
    -
    -
    -
    0.97A
    0.35Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    TrenchMOS™
    8541.29.00.75
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    20V
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