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NTD12N10-1G备选型号: HUF76609D3
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 终端形式
- JEDEC-95代码
MOSFET N-CH 100V 12A IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA4SILICON12A Ta-55°C~175°C TJTube2005e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)100V未说明12A未说明4R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET56.6WDRAINN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 6A, 10V4V @ 250μA550pF @ 25V20nC @ 10V30ns±20V32 ns12A20V100V36A75 mJ符合RoHS标准无铅---
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA-SILICON10A Tc-55°C~175°C TJTube2002e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)100V未说明10A未说明-R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET49WDRAINN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA425pF @ 25V16nC @ 10V41ns±16V28 ns10A16V100V--符合RoHS标准无铅UltraFET™鸥翼TO-252AA- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLU120NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK | 对比 |
| IRFU120NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK | 对比 |
| HUF76609D3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA | 对比 |
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