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首页 全部分类 NTD12N10-1G vs IRFU5410PBF

NTD12N10-1G备选型号: IRFU5410PBF

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  • 引脚数量
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  • 资历状况
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 终端
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  • 螺纹距离
  • 引线长度
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTD12N10-1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    4
    SILICON
    12A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    100V
    未说明
    12A
    未说明
    4
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    56.6W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 25V
    20nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    32 ns
    12A
    20V
    100V
    36A
    75 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFU5410PBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.205 Ohm; Id -13A; I-pak (TO-251AA); Pd 66W
    -
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -100V
    260
    -13A
    30
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    66W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    205m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 250μA
    760pF @ 25V
    58nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    46 ns
    -13A
    20V
    -100V
    52A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    HEXFET®
    通孔
    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    2.28mm
    9.65mm
    15 ns
    100V
    -4V
    0.205Ohm
    -100V
    -4 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
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