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NTD20N03L27G备选型号: FDD6685
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 终端
- 电阻
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON20A Ta-55°C~150°C TJTube2007e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)雪崩 额定30V鸥翼未说明20A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET74WDRAINN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 10A, 5V2V @ 250μA1260pF @ 25V18.9nC @ 10V137ns±20V31 ns20A20V30V60A288 mJ1.6 V无SVHC符合RoHS标准无铅---------------
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON11A Ta 40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004-活跃1 (Unlimited)2EAR99---30V鸥翼--40A--R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET52WDRAINP-ChannelSWITCHING20m Ω @ 11A, 10V3V @ 250μA1715pF @ 15V24nC @ 5V11ns±25V21 ns-40A25V-30V--1.8 V无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)10 WeeksTin260.37mgPowerTrench®yesSMD/SMT20MOhm17 ns-1.8V30V2.39mm6.73mm6.22mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11 | 对比 |
| FDD6630A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
| FDD6685 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
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