NTGD3149CT1G备选型号: BSL806NL6327HTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 附加功能
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
- MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOPLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6表面贴装表面贴装6SILICON33.3 ns2008Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)900mW鸥翼未说明未说明6不合格Dual增强型MOSFET900mWN and P-ChannelSWITCHING60m Ω @ 3.5A, 4.5V1V @ 250μA387pF @ 10V5.5nC @ 4.5V5.3nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL29.5 ns3.5A8V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准无铅-----------
- Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R-SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6表面贴装表面贴装-SILICON22013Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ-yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99-500mW鸥翼--6--增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual)-57m Ω @ 2.3A, 2.5V750mV @ 11μA259pF @ 10V1.7nC @ 2.5V9.9ns-3.7 ns2.3A8V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准-OptiMOS™AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEBSL806R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE7.5 ns20V0.057Ohm20V28.6 pF无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP | 对比 | |
| BSL806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R | 对比 |


哦! 它是空的。