ON Semiconductor NTGD3149CT1G

生命周期状态

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包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

33.3 ns

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A 2.4A

已出版

2008

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

900mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

387pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 4.5V

上升时间

5.3ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

29.5 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅