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首页 全部分类 NTGD4169FT1G vs BSL308PEL6327HTSA1

NTGD4169FT1G备选型号: BSL308PEL6327HTSA1

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  • 无铅
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  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTGD4169FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    2.6A Ta
    -25°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    6
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    900mW
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    295pF @ 15V
    5.5nC @ 4.5V
    4ns
    ±12V
    4 ns
    2.6A
    12V
    0.09Ohm
    30V
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSL308PEL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    6
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 P-Channel (Dual)
    -
    80m Ω @ 2A, 10V
    1V @ 11μA
    500pF @ 15V
    5nC @ 10V
    7.7ns
    -
    2.8 ns
    2A
    20V
    0.08Ohm
    -
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    -
    OptiMOS™
    逻辑电平兼容
    500mW
    BSL308P
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    5.6 ns
    30V
    2.1A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.8 pF
    无
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