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首页 全部分类 NTJD4152PT1G vs NVJD4401NT1G

NTJD4152PT1G备选型号: NVJD4401NT1G

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  • 操作模式
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTJD4152PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
    11 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    YES
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    表面贴装
    6
    SILICON
    13.5 ns
    Tape & Reel (TR)
    2000
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    215MOhm
    Tin (Sn)
    -20V
    272mW
    鸥翼
    260
    -880mA
    40
    NTJD4152P
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    272mW
    5.8 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    260m Ω @ 880mA, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    155pF @ 20V
    2.2nC @ 4.5V
    6.5ns
    20V
    6.5 ns
    880mA
    -1.2V
    12V
    0.88A
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.3462mm
    2.1844mm
    990.6μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    NVJD4401NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SC88 20V 630MA 375MO
    4 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    YES
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    表面贴装
    6
    -
    630mA
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    270mW
    -
    -
    -
    -
    -
    6
    Dual
    -
    550mW
    83 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    375m Ω @ 630mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    46pF @ 20V
    3nC @ 4.5V
    227ns
    -
    506 ns
    910mA
    -
    12V
    0.91A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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