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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.989773
10
¥3.763936
100
¥3.550884
500
¥3.349891
1000
¥3.160273
ON Semiconductor NVJD4401NT1G
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- 对比
NVJD4401NT1G
1807-NVJD4401NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET NFET SC88 20V 630MA 375MO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVJD4401NT1G详情
ON Semiconductor NVJD4401NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
630mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
786 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
270mW
引脚数量
6
元素配置
Dual
功率耗散
550mW
接通延迟时间
83 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
375m Ω @ 630mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
46pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 4.5V
上升时间
227ns
下降时间(典型值)
506 ns
连续放电电流(ID)
910mA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.91A
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVJD4401NT1G拓展信息








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